Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
22 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
650 V
Paket Tipi
TO-247
Series
MDmesh M5
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
139 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
140 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 64 nC
Genişlik
5.15mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
15.75mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
20.15mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
299,92 TL
299,92 TL Each (KDV Hariç)
359,90 TL
359,90 TL Each KDV Dahil
Standart
1

299,92 TL
299,92 TL Each (KDV Hariç)
359,90 TL
359,90 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
22 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
650 V
Paket Tipi
TO-247
Series
MDmesh M5
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
139 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
140 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 64 nC
Genişlik
5.15mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
15.75mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
20.15mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.


