Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
22A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
TO-247
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
139mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
140W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
64nC
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
5.15 mm
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Yükseklik
20.15mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
30
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
30
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
22A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
TO-247
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
139mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
140W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
64nC
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
5.15 mm
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Yükseklik
20.15mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.


