Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
35 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
710 V
Series
MDmesh M5
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
78 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
210 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
5.15mm
Uzunluk
15.75mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 82 nC
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
20.15mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
30
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
30
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
35 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
710 V
Series
MDmesh M5
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
78 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
210 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
5.15mm
Uzunluk
15.75mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 82 nC
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
20.15mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.


