Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
66A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Seri
MDmesh DM2
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
42mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
121nC
İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
446W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
5.15 mm
Yükseklik
20.15mm
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
15.382,20 TL
512,74 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
18.458,64 TL
615,288 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
15.382,20 TL
512,74 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
18.458,64 TL
615,288 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
30
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 512,74 TL | 15.382,20 TL |
| 60+ | 489,428 TL | 14.682,84 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
66A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Seri
MDmesh DM2
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
42mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
121nC
İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
446W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
5.15 mm
Yükseklik
20.15mm
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.


