Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
3,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
12 V
Paket Tipi
DSBGA
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
23 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.65V
Maksimum Güç Kaybı
1,65 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
1.5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 3,9 nC
Genişlik
1mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
0.38mm
Seri
NexFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
3,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
12 V
Paket Tipi
DSBGA
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
23 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.65V
Maksimum Güç Kaybı
1,65 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
1.5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 3,9 nC
Genişlik
1mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
0.38mm
Seri
NexFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları