Texas Instruments CSD13306WT N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 3,5 A, 12 V, 6-Pinli DSBGA

RS Stok Numarası: 900-9927Marka: Texas InstrumentsÜretici Parça Numarası: CSD13306WT
brand-logo
View all in MOSFET'ler

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

3,5 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

12 V

Paket Tipi

DSBGA

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

6

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

15.5 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Güç Kaybı

1,9 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-10 V, +10 V

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Uzunluk

1mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

0 V'de 8,6 nC

Genişlik

1.49mm

Transistör Malzemesi

Si

Seri

NexFET

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

İleri Diyot Gerilimi

1V

Yükseklik

0.28mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

P.O.A.

Texas Instruments CSD13306WT N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 3,5 A, 12 V, 6-Pinli DSBGA

P.O.A.

Texas Instruments CSD13306WT N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 3,5 A, 12 V, 6-Pinli DSBGA
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

3,5 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

12 V

Paket Tipi

DSBGA

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

6

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

15.5 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Güç Kaybı

1,9 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-10 V, +10 V

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Uzunluk

1mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

0 V'de 8,6 nC

Genişlik

1.49mm

Transistör Malzemesi

Si

Seri

NexFET

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

İleri Diyot Gerilimi

1V

Yükseklik

0.28mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more