Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
PICOSTAR
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
550 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.65V
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
0.64mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
1.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 1,01 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
0.35mm
Seri
FemtoFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
PICOSTAR
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
550 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.65V
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
0.64mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
1.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 1,01 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
0.35mm
Seri
FemtoFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları