Texas Instruments CSD19502Q5BT N-Kanallı MOSFET Transistör, 157 A, 80 V, 8-Pinli VSON-CLIP
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
157 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
80 V
Series
NexFET
Paket Tipi
VSON-CLIP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Maksimum Güç Kaybı
195 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
5.1mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 130 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.05mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
Standart
2
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
157 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
80 V
Series
NexFET
Paket Tipi
VSON-CLIP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Maksimum Güç Kaybı
195 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
5.1mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 130 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.05mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products