Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
273 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
80 V
Seri
NexFET
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
375 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 120 nC
Genişlik
4.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
16.51mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
273 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
80 V
Seri
NexFET
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
375 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 120 nC
Genişlik
4.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
16.51mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları