Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
PICOSTAR
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
800 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.7V
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 0,913 nC
Genişlik
0.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
FemtoFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.35mm
Ürün Ayrıntıları
P-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
PICOSTAR
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
800 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.7V
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 0,913 nC
Genişlik
0.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
FemtoFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.35mm
Ürün Ayrıntıları