Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas InstrumentsÜrün Tipi
MOSFET
Çıkış Akımı
2A
Pim Sayısı
8
Düşme Süresi
15ns
Paket Tipi
PDIP
Sürücü Tipi
MOSFET
Yükselme Süresi
15ns
Minimum Besleme Gerilimi
14V
Sürücülerin Sayısı
2
Maksimum Besleme Gerilimi
14V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
125°C
Yükseklik
4.57mm
Standartlar/Onaylar
No
Seri
TPS28xx
Uzunluk
9.81mm
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
3.584,00 TL
143,36 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
4.300,80 TL
172,032 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
25

3.584,00 TL
143,36 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
4.300,80 TL
172,032 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
25

| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 25 - 45 | 143,36 TL | 716,80 TL |
| 50 - 120 | 129,28 TL | 646,40 TL |
| 125 - 245 | 116,096 TL | 580,48 TL |
| 250+ | 110,464 TL | 552,32 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas InstrumentsÜrün Tipi
MOSFET
Çıkış Akımı
2A
Pim Sayısı
8
Düşme Süresi
15ns
Paket Tipi
PDIP
Sürücü Tipi
MOSFET
Yükselme Süresi
15ns
Minimum Besleme Gerilimi
14V
Sürücülerin Sayısı
2
Maksimum Besleme Gerilimi
14V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
125°C
Yükseklik
4.57mm
Standartlar/Onaylar
No
Seri
TPS28xx
Uzunluk
9.81mm
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.


