Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas InstrumentsÜrün Tipi
MOSFET
Çıkış Akımı
1.5A
Pim Sayısı
8
Paket Tipi
PDIP
Düşme Süresi
60ns
Çıkışların Sayısı
2
Sürücü Tipi
MOSFET
Yükselme Süresi
80ns
Minimum Besleme Gerilimi
40V
Maksimum Besleme Gerilimi
40V
Sürücülerin Sayısı
2
Minimum Çalışma Sıcaklığı
0°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
70°C
Genişlik
6.35 mm
Seri
UC3709
Yükseklik
4.57mm
Uzunluk
9.81mm
Standartlar/Onaylar
No
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.569,00 TL
784,50 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
1.882,80 TL
941,40 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
2

1.569,00 TL
784,50 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
1.882,80 TL
941,40 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
2

| Miktar | Birim Fiyat |
|---|---|
| 2 - 9 | 784,50 TL |
| 10 - 14 | 762,30 TL |
| 15 - 24 | 735,30 TL |
| 25+ | 720,90 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas InstrumentsÜrün Tipi
MOSFET
Çıkış Akımı
1.5A
Pim Sayısı
8
Paket Tipi
PDIP
Düşme Süresi
60ns
Çıkışların Sayısı
2
Sürücü Tipi
MOSFET
Yükselme Süresi
80ns
Minimum Besleme Gerilimi
40V
Maksimum Besleme Gerilimi
40V
Sürücülerin Sayısı
2
Minimum Çalışma Sıcaklığı
0°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
70°C
Genişlik
6.35 mm
Seri
UC3709
Yükseklik
4.57mm
Uzunluk
9.81mm
Standartlar/Onaylar
No
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.


