Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas InstrumentsÜrün Tipi
MOSFET
Çıkış Akımı
4A
Pim Sayısı
8
Paket Tipi
SOIC
Düşme Süresi
40ns
Sürücü Tipi
MOSFET
Yükselme Süresi
40ns
Minimum Besleme Gerilimi
4V
Maksimum Besleme Gerilimi
15V
Sürücülerin Sayısı
2
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
105°C
Uzunluk
4.9mm
Yükseklik
1.58mm
Standartlar/Onaylar
ESD CDM:±1500V, ESD HBM:±2500V
Seri
UCC2742x
Montaj Tipi
Yüzey
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
425,60 TL
85,12 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
510,72 TL
102,144 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5

425,60 TL
85,12 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
510,72 TL
102,144 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5

| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 85,12 TL | 425,60 TL |
| 25 - 45 | 81,024 TL | 405,12 TL |
| 50 - 120 | 74,496 TL | 372,48 TL |
| 125 - 245 | 72,576 TL | 362,88 TL |
| 250+ | 70,656 TL | 353,28 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas InstrumentsÜrün Tipi
MOSFET
Çıkış Akımı
4A
Pim Sayısı
8
Paket Tipi
SOIC
Düşme Süresi
40ns
Sürücü Tipi
MOSFET
Yükselme Süresi
40ns
Minimum Besleme Gerilimi
4V
Maksimum Besleme Gerilimi
15V
Sürücülerin Sayısı
2
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
105°C
Uzunluk
4.9mm
Yükseklik
1.58mm
Standartlar/Onaylar
ESD CDM:±1500V, ESD HBM:±2500V
Seri
UCC2742x
Montaj Tipi
Yüzey
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.


