Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Toshibaİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
0.3 to 0.75mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
10 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-50V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-346 (SC-59)
Pim Sayısı
3
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Uzunluk
2.9mm
Yükseklik
1.1mm
Genişlik
1.5mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
7,943 TL
Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
9,532 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
7,943 TL
Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
9,532 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
100 - 190 | 7,943 TL | 79,43 TL |
200 - 390 | 7,191 TL | 71,91 TL |
400+ | 7,05 TL | 70,50 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Toshibaİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
0.3 to 0.75mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
10 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-50V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-346 (SC-59)
Pim Sayısı
3
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Uzunluk
2.9mm
Yükseklik
1.1mm
Genişlik
1.5mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.