Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Toshibaİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
1.2 to 3.0mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
10 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-50V
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-346 (SC-59)
Pim Sayısı
3
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Uzunluk
2.9mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Genişlik
1.5mm
Yükseklik
1.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
158,47 TL
15,847 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
190,16 TL
19,016 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10

158,47 TL
15,847 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
190,16 TL
19,016 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
10 - 90 | 15,847 TL | 158,47 TL |
100+ | 9,911 TL | 99,11 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Toshibaİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
1.2 to 3.0mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
10 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-50V
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-346 (SC-59)
Pim Sayısı
3
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Uzunluk
2.9mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Genişlik
1.5mm
Yükseklik
1.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.