Toshiba IGBT GT40QR21,F(O, 3-Pinli TO-3P, 1200 V, 40 A
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ToshibaMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
40 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±25V
Maksimum Güç Kaybı
230 W
Paket Tipi
TO-3P
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
0.4µs
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.5 x 4.5 x 20mm
Kapı Kapasitansı
1500pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Enerji Değeri
0.29mJ
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
222,30 TL
222,30 TL Each (KDV Hariç)
266,76 TL
266,76 TL Each KDV Dahil
1
222,30 TL
222,30 TL Each (KDV Hariç)
266,76 TL
266,76 TL Each KDV Dahil
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
| Miktar | Birim Fiyat |
|---|---|
| 1 - 4 | 222,30 TL |
| 5+ | 207,48 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ToshibaMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
40 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±25V
Maksimum Güç Kaybı
230 W
Paket Tipi
TO-3P
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
0.4µs
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.5 x 4.5 x 20mm
Kapı Kapasitansı
1500pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Enerji Değeri
0.29mJ
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products