Toshiba IGBT GT50JR22, 3-Pinli TO-3P, 600 V, 50 A
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ToshibaMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
50 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±25V
Maksimum Güç Kaybı
230 W
Paket Tipi
TO-3P
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.5 x 4.5 x 20mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
4.923,45 TL
196,938 TL Each (In a Tube of 25) (KDV Hariç)
5.908,14 TL
236,326 TL Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
4.923,45 TL
196,938 TL Each (In a Tube of 25) (KDV Hariç)
5.908,14 TL
236,326 TL Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ToshibaMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
50 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±25V
Maksimum Güç Kaybı
230 W
Paket Tipi
TO-3P
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.5 x 4.5 x 20mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products