Toshiba TK15S04N1L,LQ(O N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 15 A, 40 V, 3-Pinli DPAK+ (TO-252)

Name: Toshiba TK15S04N1L,LQ(O N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 15 A, 40 V, 3-Pinli DPAK+ (TO-252)
Brand: Toshiba
SKU: 1332798

RS Stok Numarası: 133-2798Marka: ToshibaÜretici Parça Numarası: TK15S04N1L,LQ(O

MOSFET'ler kategorisindeki tüm ürünleri gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

Toshiba

İletken Tipi

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

15 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

40 V

Paket Tipi

DPAK (TO-252)

Seri

U-MOSVIII-H

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

37 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

2.5V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

1.5V

Maksimum Güç Kaybı

46 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Transistör Malzemesi

Uzunluk

6.5mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 10 nC

Genişlik

5.5mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

İleri Diyot Gerilimi

1.2V

Yükseklik

2.3mm

Menşe

Japan

Ürün Ayrıntıları

MOSFET Transistors, Toshiba

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Teklif İsteyiniz

Toshiba TK15S04N1L,LQ(O N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 15 A, 40 V, 3-Pinli DPAK+ (TO-252)

Paketlenme türü seçiniz

Standart

Teklif İsteyiniz

Toshiba TK15S04N1L,LQ(O N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 15 A, 40 V, 3-Pinli DPAK+ (TO-252)

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Paketlenme türü seçiniz

Standart

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

Toshiba

İletken Tipi

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

15 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

40 V

Paket Tipi

DPAK (TO-252)

Seri

U-MOSVIII-H

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

37 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

2.5V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

1.5V

Maksimum Güç Kaybı

46 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Transistör Malzemesi

Uzunluk

6.5mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 10 nC

Genişlik

5.5mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

İleri Diyot Gerilimi

1.2V

Yükseklik

2.3mm

Menşe

Japan

Ürün Ayrıntıları