Toshiba TPN11003NL,LQ(S N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 31 A, 30 V, 8-Pinli TSON
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Toshibaİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
31 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
U-MOSVIII-H
Paket Tipi
TSON
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
16 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
19 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
3.1mm
Uzunluk
3.1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7,5 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
0.85mm
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
20
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
20
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Toshibaİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
31 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
U-MOSVIII-H
Paket Tipi
TSON
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
16 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
19 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
3.1mm
Uzunluk
3.1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7,5 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
0.85mm
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products