Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
5 → 30mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-40 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-40V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-206AA
Pim Sayısı
3
Boyutlar
5.84 x 5.84 x 5.33mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+200°C
Uzunluk
5.84mm
Yükseklik
5.33mm
Genişlik
5.84mm
Ürün Ayrıntıları
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
5 → 30mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-40 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-40V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-206AA
Pim Sayısı
3
Boyutlar
5.84 x 5.84 x 5.33mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+200°C
Uzunluk
5.84mm
Yükseklik
5.33mm
Genişlik
5.84mm
Ürün Ayrıntıları
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.