Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
850 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
3,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 63 nC
Genişlik
9.65mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.41mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
4.83mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
4.210,80 TL
84,216 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
5.052,96 TL
101,059 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
50

4.210,80 TL
84,216 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
5.052,96 TL
101,059 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
50

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 50 - 120 | 84,216 TL | 421,08 TL |
| 125+ | 80,62 TL | 403,10 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
850 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
3,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 63 nC
Genişlik
9.65mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.41mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
4.83mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları


