Vishay IRFBE30PBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 4,1 A, 800 V, 3-Pinli TO-220AB

RS Stok Numarası: 541-1124Marka: VishayÜretici Parça Numarası: IRFBE30PBFDistrelec Article No.: 17115208
brand-logo

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

Vishay

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

4,1 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

800 V

Paket Tipi

TO-220AB

Montaj Tipi

Açık Delik

Pim Sayısı

3

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

3 Ω

Kanal Modu

Artırma

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

2V

Maksimum Güç Kaybı

125 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 78 nC

Genişlik

4.7mm

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Uzunluk

10.41mm

Yükseklik

9.01mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ürün Ayrıntıları

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
İlginizi çekebilir
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
Teklif İsteyinizEach (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

95,93 TL

95,93 TL Each (KDV Hariç)

115,12 TL

115,12 TL Each KDV Dahil

Vishay IRFBE30PBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 4,1 A, 800 V, 3-Pinli TO-220AB
Paketlenme türü seçiniz
sticker-359

95,93 TL

95,93 TL Each (KDV Hariç)

115,12 TL

115,12 TL Each KDV Dahil

Vishay IRFBE30PBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 4,1 A, 800 V, 3-Pinli TO-220AB
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Paketlenme türü seçiniz
sticker-359

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

MiktarBirim Fiyat
1 - 995,93 TL
10 - 4993,28 TL
50 - 9989,04 TL
100 - 24984,27 TL
250+80,03 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
İlginizi çekebilir
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
Teklif İsteyinizEach (KDV Hariç)

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

Vishay

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

4,1 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

800 V

Paket Tipi

TO-220AB

Montaj Tipi

Açık Delik

Pim Sayısı

3

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

3 Ω

Kanal Modu

Artırma

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

2V

Maksimum Güç Kaybı

125 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 78 nC

Genişlik

4.7mm

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Uzunluk

10.41mm

Yükseklik

9.01mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ürün Ayrıntıları

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
İlginizi çekebilir
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
Teklif İsteyinizEach (KDV Hariç)