Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
HVMDIP
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
540 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,3 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-10 V, +10 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 6,1 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
6.29mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
3.37mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5

Teklif İsteyiniz
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
HVMDIP
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
540 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,3 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-10 V, +10 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 6,1 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
6.29mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
3.37mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları


