Vishay SI4599DY-T1-GE3 İkili N/P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 4,7 A, 6,8 A, 40 V, 8-Pinli SOIC
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
4,7 A, 6,8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
42.5 mΩ, 62 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
3 W, 3,1 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Genişlik
4mm
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 11,7 nC, 10 V'de 25 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.55mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
42.750,00 TL
17,10 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
51.300,00 TL
20,52 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
42.750,00 TL
17,10 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
51.300,00 TL
20,52 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
4,7 A, 6,8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
42.5 mΩ, 62 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
3 W, 3,1 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Genişlik
4mm
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 11,7 nC, 10 V'de 25 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.55mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products