Vishay SiHB28N60EF-GE3 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 28 A, 600 V, 3-Pinli D2PAK (TO-263)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
28 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
EF Series
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
123 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
250 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
9.65mm
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 80 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
4.83mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
131.175,00 TL
131,175 TL Each (In a Bag of 1000) (KDV Hariç)
157.410,00 TL
157,41 TL Each (In a Bag of 1000) KDV Dahil
1000
131.175,00 TL
131,175 TL Each (In a Bag of 1000) (KDV Hariç)
157.410,00 TL
157,41 TL Each (In a Bag of 1000) KDV Dahil
1000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
28 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
EF Series
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
123 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
250 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
9.65mm
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 80 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
4.83mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products