N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR632DP-T1-RE3
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
29 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
150 V
Paket Tipi
PowerPAK SO-8
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
41 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
69,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
5.26mm
Uzunluk
6.25mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 14 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.12mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
49,278 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
59,134 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
49,278 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
59,134 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
Toptan Satın Al
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 49,278 TL | 246,39 TL |
| 50 - 120 | 46,268 TL | 231,34 TL |
| 125 - 245 | 41,882 TL | 209,41 TL |
| 250 - 495 | 39,388 TL | 196,94 TL |
| 500+ | 36,894 TL | 184,47 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
29 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
150 V
Paket Tipi
PowerPAK SO-8
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
41 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
69,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
5.26mm
Uzunluk
6.25mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 14 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.12mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products