N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
TrenchFET
Paket Tipi
PowerPAK SO-8
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.15 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.8V
Maksimum Güç Kaybı
104 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+20 V
Genişlik
5.26mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.25mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 102 nC
Yükseklik
1.12mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
Standart
5
Teklif İsteyiniz
Standart
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
TrenchFET
Paket Tipi
PowerPAK SO-8
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.15 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.8V
Maksimum Güç Kaybı
104 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+20 V
Genişlik
5.26mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.25mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 102 nC
Yükseklik
1.12mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products