Vishay SISS23DN-T1-GE3 P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 27 A, 20 V, 8-Pinli PowerPAK 1212
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
27 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Series
TrenchFET
Paket Tipi
PowerPAK 1212
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
11.5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
57 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3.3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 195 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
3.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.78mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
490,68 TL
24,534 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
588,82 TL
29,441 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
20
490,68 TL
24,534 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
588,82 TL
29,441 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
20
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
27 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Series
TrenchFET
Paket Tipi
PowerPAK 1212
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
11.5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
57 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3.3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 195 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
3.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.78mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products