Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
TO-263AC
Maksimum Sürekli İleri Akım
10A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
120V
Diyot Konfigürasyonu
Ortak Katot
Diyot Tipi
Schottky
Pim Sayısı
3
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
940mV
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Diyot Teknolojisi
Schottky
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
100A
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, Up to 20A, Vishay Semiconductor
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.
Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
Standart
10
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
TO-263AC
Maksimum Sürekli İleri Akım
10A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
120V
Diyot Konfigürasyonu
Ortak Katot
Diyot Tipi
Schottky
Pim Sayısı
3
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
940mV
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Diyot Teknolojisi
Schottky
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
100A
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, Up to 20A, Vishay Semiconductor
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.


