Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
DO-221BC
Maksimum Sürekli İleri Akım
4A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
50V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Redresör Tipi
Schottky Doğrultucu
Diyot Tipi
Schottky
Pim Sayısı
2
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
590mV
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Diyot Teknolojisi
Schottky
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
80A
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, Up to 20A, Vishay Semiconductor
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.
Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
6,794 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
8,153 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
40
6,794 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
8,153 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
40
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
DO-221BC
Maksimum Sürekli İleri Akım
4A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
50V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Redresör Tipi
Schottky Doğrultucu
Diyot Tipi
Schottky
Pim Sayısı
2
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
590mV
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Diyot Teknolojisi
Schottky
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
80A
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, Up to 20A, Vishay Semiconductor
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.