Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Panel Montajı
Paket Tipi
SOT-227
Maksimum Sürekli İleri Akım
120A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
1200V
Diyot Konfigürasyonu
Yalıtılmış
Redresör Tipi
Anahtarlama
Diyot Tipi
Silikon Bağlantı
Pim Sayısı
4
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
5.3V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Diyot Teknolojisi
Silikon Bağlantı
Tepe Ters Kurtarma Süresi
218ns
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
350A
Menşe
Philippines
Ürün Ayrıntıları
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
4.479,07 TL
2.239,54 TL Each (Supplied in a Box) (KDV Hariç)
5.374,88 TL
2.687,45 TL Each (Supplied in a Box) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Kutu)
2
4.479,07 TL
2.239,54 TL Each (Supplied in a Box) (KDV Hariç)
5.374,88 TL
2.687,45 TL Each (Supplied in a Box) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Kutu)
2
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
2 - 4 | 2.239,54 TL |
5 - 9 | 2.121,50 TL |
10+ | 2.003,98 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Panel Montajı
Paket Tipi
SOT-227
Maksimum Sürekli İleri Akım
120A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
1200V
Diyot Konfigürasyonu
Yalıtılmış
Redresör Tipi
Anahtarlama
Diyot Tipi
Silikon Bağlantı
Pim Sayısı
4
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
5.3V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Diyot Teknolojisi
Silikon Bağlantı
Tepe Ters Kurtarma Süresi
218ns
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
350A
Menşe
Philippines
Ürün Ayrıntıları
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.