Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Wolfspeedİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
31 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
1200 V
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
208 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.7V
Maksimum Güç Kaybı
208 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-10 V, +25 V
Genişlik
5.21mm
Transistör Malzemesi
SiC
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
20 V'de 49,2 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.13mm
Yükseklik
21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
1.411,67 TL
1.411,67 TL Each (KDV Hariç)
1.694,00 TL
1.694,00 TL Each KDV Dahil
Standart
1
1.411,67 TL
1.411,67 TL Each (KDV Hariç)
1.694,00 TL
1.694,00 TL Each KDV Dahil
Standart
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Wolfspeedİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
31 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
1200 V
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
208 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.7V
Maksimum Güç Kaybı
208 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-10 V, +25 V
Genişlik
5.21mm
Transistör Malzemesi
SiC
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
20 V'de 49,2 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.13mm
Yükseklik
21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.