Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Wolfspeedİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
5,3 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
1700 V
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.4 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
78 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-10 V, +25 V
Genişlik
10.99mm
Transistör Malzemesi
SiC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.23mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
20 V'de 13 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
4.57mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
3.8V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
Standart
2
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
Standart
2
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Wolfspeedİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
5,3 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
1700 V
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.4 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
78 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-10 V, +25 V
Genişlik
10.99mm
Transistör Malzemesi
SiC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.23mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
20 V'de 13 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
4.57mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
3.8V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.