Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Wolfspeedİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
36 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
900 V
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
78 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.8V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +18 V
Genişlik
21.1mm
Transistör Malzemesi
SiC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.13mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
15 V'de 30,4 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
5.21mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
4.8V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Teklif İsteyiniz
Standart
1
Teklif İsteyiniz
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Wolfspeedİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
36 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
900 V
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
78 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.8V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +18 V
Genişlik
21.1mm
Transistör Malzemesi
SiC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.13mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
15 V'de 30,4 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
5.21mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
4.8V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.


