Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Fuji ElectricMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
100 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
310 W
Yapılandırma
Seri
Paket Tipi
M232
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Transistör Yapılandırması
Seri
Boyutlar
92 x 34 x 30mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
1.762,91 TL
Each KDV Hariç
2.115,49 TL
Each KDV Dahil
1
1.762,91 TL
Each KDV Hariç
2.115,49 TL
Each KDV Dahil
1
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 1 | 1.762,91 TL |
2 - 4 | 1.612,84 TL |
5 - 9 | 1.534,58 TL |
10 - 19 | 1.459,76 TL |
20+ | 1.388,81 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Fuji ElectricMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
100 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
310 W
Yapılandırma
Seri
Paket Tipi
M232
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Transistör Yapılandırması
Seri
Boyutlar
92 x 34 x 30mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.