Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A, 211 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
IPAK (TO-251)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.98 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.9V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Maksimum Güç Kaybı
163 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 103 nC
Genişlik
2.39mm
Seri
COOLiRFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
6.22mm
Ürün Ayrıntıları
COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
104,81 TL
Each (Supplied in a Tube) KDV Hariç
125,772 TL
Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
2
104,81 TL
Each (Supplied in a Tube) KDV Hariç
125,772 TL
Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
2
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A, 211 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
IPAK (TO-251)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.98 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.9V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Maksimum Güç Kaybı
163 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 103 nC
Genişlik
2.39mm
Seri
COOLiRFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
6.22mm
Ürün Ayrıntıları
COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.