Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
40 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
60 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
200 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 180 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.54mm
Genişlik
4.69mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
8.77mm
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
76,61 TL
Each (Supplied in a Tube) KDV Hariç
91,93 TL
Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
76,61 TL
Each (Supplied in a Tube) KDV Hariç
91,93 TL
Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 9 | 76,61 TL |
10 - 24 | 72,85 TL |
25 - 49 | 71,44 TL |
50 - 99 | 66,74 TL |
100+ | 62,04 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
40 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
60 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
200 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 180 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.54mm
Genişlik
4.69mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
8.77mm
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.