Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
9,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
SIPMOS
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
400 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
42 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 14 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
2.41mm
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
1.355,95 TL
27,119 TL Each (In a Pack of 50) (KDV Hariç)
1.627,14 TL
32,543 TL Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
Standart
50
1.355,95 TL
27,119 TL Each (In a Pack of 50) (KDV Hariç)
1.627,14 TL
32,543 TL Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
Standart
50
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
50 - 200 | 27,119 TL | 1.355,95 TL |
250 - 950 | 17,39 TL | 869,50 TL |
1000 - 2450 | 13,818 TL | 690,90 TL |
2500+ | 12,032 TL | 601,60 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
9,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
SIPMOS
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
400 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
42 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 14 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
2.41mm
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.