Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
160 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
Y4 M5
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
94 x 34 x 30mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
2.612,94 TL
Each KDV Hariç
3.135,53 TL
Each KDV Dahil
1
2.612,94 TL
Each KDV Hariç
3.135,53 TL
Each KDV Dahil
1
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 4 | 2.612,94 TL |
5 - 9 | 2.426,32 TL |
10 - 19 | 2.363,97 TL |
20 - 49 | 2.301,62 TL |
50+ | 2.247,44 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
160 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
Y4 M5
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
94 x 34 x 30mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.