Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
600 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Seri
GigaMOS, HiperFET
Paket Tipi
SMPD
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
24
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.5V
Maksimum Güç Kaybı
830 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
23.25mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
25.25mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 590 nC
Yükseklik
5.7mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Menşe
Germany
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
31.727,30 TL
1.586,365 TL Each (In a Tube of 20) (KDV Hariç)
38.072,76 TL
1.903,638 TL Each (In a Tube of 20) KDV Dahil
20
31.727,30 TL
1.586,365 TL Each (In a Tube of 20) (KDV Hariç)
38.072,76 TL
1.903,638 TL Each (In a Tube of 20) KDV Dahil
20
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
600 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Seri
GigaMOS, HiperFET
Paket Tipi
SMPD
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
24
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.5V
Maksimum Güç Kaybı
830 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
23.25mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
25.25mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 590 nC
Yükseklik
5.7mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Menşe
Germany
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS