Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
1.2 to 3mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
200 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CP
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
4pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
1.1pF
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.1mm
Uzunluk
2.9mm
Genişlik
1.5mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
3,196 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
3,835 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
3,196 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
3,835 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
1.2 to 3mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
200 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CP
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
4pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
1.1pF
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.1mm
Uzunluk
2.9mm
Genişlik
1.5mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.