Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
10 → 20mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
15 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-15V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CPH
Pim Sayısı
5
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
10pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
2.9pF
Boyutlar
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Yükseklik
0.9mm
Genişlik
1.6mm
Ürün Ayrıntıları
Bipolar NPN & JFET Transistor, ON Semiconductor
Compact space-saving composite SMT package incoporating both an NPN Bipolar Transistor and N-channel JFET. In some devices the NPN emitter and JFET drain share a common connection.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
10 → 20mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
15 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-15V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CPH
Pim Sayısı
5
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
10pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
2.9pF
Boyutlar
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Yükseklik
0.9mm
Genişlik
1.6mm
Ürün Ayrıntıları
Bipolar NPN & JFET Transistor, ON Semiconductor
Compact space-saving composite SMT package incoporating both an NPN Bipolar Transistor and N-channel JFET. In some devices the NPN emitter and JFET drain share a common connection.