Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON SemiconductorMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
60 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1350 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
394 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
5530pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
132,698 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
159,238 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
132,698 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
159,238 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
30 - 90 | 132,698 TL | 3.980,94 TL |
120 - 240 | 106,468 TL | 3.194,04 TL |
270 - 480 | 100,018 TL | 3.000,54 TL |
510+ | 94,858 TL | 2.845,74 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON SemiconductorMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
60 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1350 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
394 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
5530pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.