Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
16 to 32mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
15 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-15V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CP
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
10pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
2.9pF
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Yükseklik
1.1mm
Genişlik
1.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
5,922 TL
Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
7,106 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
5,922 TL
Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
7,106 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
16 to 32mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
15 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-15V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CP
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
10pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
2.9pF
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Yükseklik
1.1mm
Genişlik
1.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.