Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
500 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-92
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.8V
Maksimum Güç Kaybı
830 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5.2mm
Genişlik
4.19mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
5.33mm
Ürün Ayrıntıları
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
4.512,00 TL
4,512 TL Each (In a Bag of 1000) (KDV Hariç)
5.414,40 TL
5,414 TL Each (In a Bag of 1000) KDV Dahil
1000
4.512,00 TL
4,512 TL Each (In a Bag of 1000) (KDV Hariç)
5.414,40 TL
5,414 TL Each (In a Bag of 1000) KDV Dahil
1000
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Bag |
---|---|---|
1000 - 2000 | 4,512 TL | 4.512,00 TL |
3000+ | 3,619 TL | 3.619,00 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
500 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-92
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.8V
Maksimum Güç Kaybı
830 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5.2mm
Genişlik
4.19mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
5.33mm
Ürün Ayrıntıları
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.