Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
30 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
42 W
Paket Tipi
TO-220F
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.36 x 2.74 x 16.07mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
103,63 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
124,356 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
103,63 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
124,356 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
5 - 5 | 103,63 TL | 518,15 TL |
10 - 95 | 88,752 TL | 443,76 TL |
100 - 245 | 69,058 TL | 345,29 TL |
250 - 495 | 66,478 TL | 332,39 TL |
500+ | 57,878 TL | 289,39 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
30 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
42 W
Paket Tipi
TO-220F
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.36 x 2.74 x 16.07mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.