Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
75 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Seri
UltraFET
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
12 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
200 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
20 V'de 110 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.67mm
Genişlik
4.83mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.4mm
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
67,21 TL
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
80,652 TL
Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5
67,21 TL
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
80,652 TL
Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
75 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Seri
UltraFET
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
12 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
200 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
20 V'de 110 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.67mm
Genişlik
4.83mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.4mm
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.