Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
10 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
450 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±14V
Maksimum Güç Kaybı
130 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
67,94 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
81,528 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
67,94 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
81,528 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
5 - 5 | 67,94 TL | 339,70 TL |
10 - 95 | 66,048 TL | 330,24 TL |
100 - 245 | 64,50 TL | 322,50 TL |
250 - 495 | 62,694 TL | 313,47 TL |
500+ | 61,404 TL | 307,02 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
10 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
450 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±14V
Maksimum Güç Kaybı
130 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.