Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
min. 40mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
25V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
12 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
85pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
85pF
Boyutlar
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
4.58mm
Yükseklik
4.58mm
Genişlik
3.86mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
1.497,60 TL
14,976 TL Each (Supplied in a Bag) (KDV Hariç)
1.797,12 TL
17,971 TL Each (Supplied in a Bag) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Bag)
100
1.497,60 TL
14,976 TL Each (Supplied in a Bag) (KDV Hariç)
1.797,12 TL
17,971 TL Each (Supplied in a Bag) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Bag)
100
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Bag |
---|---|---|
100 - 225 | 14,976 TL | 374,40 TL |
250 - 475 | 13,00 TL | 325,00 TL |
500+ | 11,44 TL | 286,00 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
min. 40mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
25V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
12 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
85pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
85pF
Boyutlar
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
4.58mm
Yükseklik
4.58mm
Genişlik
3.86mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.