Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
min. 2mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-35 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
35V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
28pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
28pF
Boyutlar
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5.2mm
Yükseklik
5.33mm
Genişlik
4.19mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Kutu)
50
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Kutu)
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
min. 2mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-35 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
35V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
28pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
28pF
Boyutlar
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5.2mm
Yükseklik
5.33mm
Genişlik
4.19mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.